一种中温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料的制作方法[0002]现代通信技术的不断发展，尤其是移动通信向着高可靠性和小尺寸方向发展，对微波介质材料提出了更高的要求，微波介质陶瓷已成为近年来功能陶瓷最活跃的研究领域之一。其中，对于温度稳定性的研究已成为一大热点。微波器件需要在不同的温度下工作，而要保证其载波信号在不同温度下功能的稳定性，就必须要求微波介质材料的谐振频率不随温度变化，或是变化较小。因此，近零的谐振频率温度系数就成为了衡量材料性能的重要标准[0003]本发明提供的0.4Zn0.8Mg0.2ZrNb208-0, 6Ti02为单斜结构与锰钽矿结构复合微波介质陶瓷材料，其烧结温度较低? 1150°C )，且具有良好的微波介电性能，尤其它的谐振频率温度系数几乎为零，满足了微波介质陶瓷材料在高性能微波器件方面的应用，且国内外还未见本发明的相关报道。
[0004]本发明的目的，在于提供一种高性能中温烧结温度稳定型的0.4Zn0.8Mg0.2ZrNb208-0, 6Ti02为单斜结构与锰钽矿结构复合微波介质陶瓷材料及其制备方法。[0005]本发明通过如下技术方案予以实现。[0006]本发明的中温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料，其化学式为:0.4Zn0 8Mg0 2ZrNb208-0.6Ti02。[0007]上述中温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料的制备方法，具有如下步骤:
[0008](I)将 Zn0、Mg0、ZrO2、Nb205、TiO2 分别按 0.4Zn0 8Mg0 2ZrNb208-0.6Ti02 化学计量比称量配料；放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨4~8小时，将球磨后的原料于红外干燥箱中烘干，过筛；
[0009](2)将步骤(1)过筛后的粉料于850°C煅烧，保温6小时合成前驱体；
[0010](3)将步骤(2)的前驱体中添加质量百分比为0.40~0.65%聚乙烯醇，放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水，球磨6~8小时，烘干后过筛，再用粉末压片机以2~6MPa的压力压成坯体；
[0011](4)将步骤(3)的坯体于1040~1120°C烧结，保温4~6小时，制成中温烧结温度稳定型微波介质 陶瓷材料；
[0012](5)测试制品的的微波介电性能。
[0013]所述步骤(1)的原料为纯度大于99.9%的分析纯原料。
[0014]所述步骤(1)的还体为Φ IOmmX5mm的圆柱体。[0015]所述步骤(5)采用网络分析仪进行微波介电性能测试。
[0016]本发明的0.4Zn0.8Mg0.2ZrNb208-0, 6Ti02中温烧结微波介质陶瓷，其烧结温度为:1040~1120°C，介电常数为45~48，品质因数为40，421~43，935GHz，谐振频率温度系数为-13.7~5.5X10_6/°C。此外，该制备工艺简单，过程无污染，具有广阔的应用前景。

[0017]本发明采用纯度大于99.9%的化学原料ZnO、MgO、ZrO2, Nb2O5, TiO2制备
0.4211Zn0.8Mg0.2ZrNb2O8-0.6TiO2微波介质陶瓷。具体实施方案如下:
[0018]实施例1
[0019]1)将 Zn0、Mg0、Zr02、Nb205、Ti02 分别按摩尔比 0.32:0.08:0.4:0.4:0.6 称量配料，混合后将原料加入尼龙罐中，球磨4小时；将球磨后的原料置于红外干燥箱中烘干、过筛；
[0020]2)将过筛后的原料，于850°C煅烧，保温6小时，合成前躯体；
[0021]3)在前躯体中加入质量百分比为0.55%聚乙烯醇放入球磨罐中，加入氧化锆球和去离子水球磨7小时后烘干过筛；再用粉末压片机以4MPa的压力压成Φ IOmmX 5mm的圆柱；
[0022]4)将圆柱于1100°C烧结，保温6小时，制成中温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料；
[0023]5)用网络分析仪测试其微波介电性能，其性能如下:
[0024]介电常数为:47.1
[0025]品质因数为:41022GHz
[0026]谐振频率温度系数为:0.6 X 10_6
[0027]实施例2-5的烧结温度与介电性能详见表1，其余制备过程与实施例1完全相同。
[0028]表1
[0029]