专利名称：基片清洗容器的制作方法圆形硅基片，玻璃、陶瓷、塑料和铝质圆形基片广泛应用于半导体、计算机、信息工 业、及民用产品中。在基片的生产过程中，必需对基片反复进行碾磨、化学机械抛光(CMP， Chemical mechanical polishing)，通过使用去离子水(DIW)或化学品的湿法清洗工艺，去 除残留在表面的化学物质、小颗粒和其它杂质，降低基片的表面粗糙度，提高基片的表面光 洁性，从而提高产品的成品率。 在现有的基片抛光、清洗装置中，基片由基片传递组件和基片升降组件垂直放置 于基片清洗容器中，清洗液体供给组件提供基片清洗容器清洗液体，同时供电给安装于基 片清洗容器底部的超声波发生器，对基片清洗容器中的基片进行清洗。 现有的一种基片清洗容器，清洗液体供给组件安装在清洗容器外壁两侧，同时供 给基片清洗容器所需的清洗液体。由于清洗液体的相向对流，造成清洗液体在基片清洗容 器的紊流，不利于基片清洗容器内的小颗粒和杂质随溢出的清洗液体排出。现有的另一种 基片清洗容器，清洗液体供给组件安装在基片清洗容器外壁一侧，供给基片清洗容器所需 的清洗液体。溢出的清洗液体从基片清洗容器的另一侧排出，形成横向的液体流动。由于超 声波发生器安装于基片清洗容器的底部，基片放在基片支撑架上，与基片支撑架一起垂直 放入基片清洗容器中，横向的液体流动降低了超声波对基片表面的清洗效果，同时基片支 撑架阻碍了清洗液体的流动，不利于基片支撑架内侧的小颗粒和杂质随清洗液体排出。因 而降低了设备的清洗效果，延长了设备的清洗时间，从而影响设备的生产效率和基片的成 品率。
超声波对基片表面的清洗方向一致，且与基片和基片支撑架在基片清洗容器垂直放置方向一致，有利于基片支撑架内侧和内容器底部的小颗粒和杂质随清洗液体排出。 前述的基片清洗容器，其中在内容器内壁下方两侧形成一定角度的斜面。 前述的基片清洗容器，其中二组清洗液体喷嘴安装在内容器内壁下方两侧的斜面上。 前述的基片清洗容器，其中所述的二组清洗液体喷嘴供给清洗液体的角度可是固 定的，也可是可调节的。 本实用新型的有益效果是，基片清洗容器中清洗液体的流动方向有利于基片清洗 容器中和基片支撑架内侧的小颗粒和杂质随清洗液体排出，且与超声波对基片表面的清洗 方向一致，提高了抛光、清洗装置的清洗效果，从而提高了设备的生产效率和基片的成品率。以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明。图1是本实用新型基片清洗容器一个实施例的立体结构示意图。
图2是本实用新型基片清洗容器一个实施例的正面构造示意图。

图1是本实用新型基片清洗容器一个实施例的立体结构示意图。在
图1所示实施 例中，基片清洗容器由内容器102，外容器103构成。外容器103通过焊接或紧固件安装在 内容器102外壁上方，用于存储内容器溢出的清洗液体及清洗液体的循环；内容器102用于 存储基片的清洗液体；在内容器102内壁下方两侧安装二组清洗液体喷嘴，用于供给内容 器清洗液体。超声波发生器104安装在内容器102的底部。基片101与基片支撑架由基片 传递组件和基片升降组件垂直放置于基片清洗容器中。 在本实用新型基片清洗容器的实施例中，在内容器102内壁下方两侧形成一定角 度的斜面；二组清洗液体喷嘴安装在内容器102内壁下方两侧的斜面上；二组清洗液体喷 嘴供给清洗液体的角度可是固定的，也可是可调节的。 图2是本实用新型基片清洗容器一个实施例的正面构造示意图。如图2所示，基 片101与基片支撑架106由基片传递组件和基片升降组件垂直放置于基片清洗容器的内容 器102中，清洗液体供给组件经二组清洗液体喷嘴105供给基片清洗容器清洗液体，安装于 内容器102底部的超声波发生器104产生超声波能量，对基片101进行清洗。由于二组清 洗液体喷嘴105安装在内容器102内壁下方两侧的斜面上，当清洗液体供给组件经二组清 洗液体喷嘴105供给基片清洗容器清洗液体，清洗液体沿流向111达到基片101和基片支撑架106的底部。在基片清洗容器中的清洗液体沿流向112从内容器102底部上升至内容 器102顶部，再沿流向113从内容器102溢出至外容器103。清洗液体被排出外容器103， 或排出的清洗液体经过滤器过滤，由清洗液体供给组件循环供给基片清洗容器。由于清洗 液体的流向与超声波对基片IOI表面的清洗方向一致，且与基片IOI和基片支撑架106在 基片清洗容器中的垂直放置方向一致，有利于基片支撑架106内侧和内容器102底部的小 颗粒和杂质随清洗液体排出，提高了抛光、清洗装置的清洗效果，縮短了设备的清洗时间， 从而提高设备的生产效率和基片的成品率。 以上所述，仅是本实用新型的较佳实施例，并未对本实用新型做任何形式上的限 制。凡是依据本实用新型的技术方案对上述实施例所作的任何简单修改、变异及修饰，均仍 属于本实用新型技术方案的范围。