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单面镀膜玻璃制作方法

  • 专利名称
    单面镀膜玻璃制作方法
  • 发明者
    徐日宏
  • 公开日
    2009年9月30日
  • 申请日期
    2009年3月11日
  • 优先权日
    2009年3月11日
  • 申请人
    深圳市三鑫精美特玻璃有限公司
  • 文档编号
    C03C17/34GK201317743SQ20092013519
  • 关键字
  • 权利要求
    1.一种单面镀膜玻璃,包括玻璃基片,其特征在于在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb2O5层和SiO2层至SiO2层为外层,或依次重叠沉积TiO2层和SiO2层至SiO2层为外层,所述重叠层外再沉积半导体ITO膜层2、 根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃,其特征在于,所述玻璃基片一面 的沉积层为五层3、 根据权利要求2所述的单面镀膜玻璃,其特征在于,所述沉积层厚度依 次为恥205层或Ti02层为10nm至30nm, Si02层为20nm至50nm, Nb205 层或Ti02层为20nm至50nm, Si02层为60nm至140nm,半导体膜层ITO 为8至28nm4、 根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃,其特征在于,所述玻璃基片一面 的沉积层为七层5、 根据权利要求4所述的单面镀膜玻璃,其特征在于,所述沉积层厚度依 次为恥205层或1102层为5nm至18nm, Si02层为20nm至50nm, Nb205 层或Ti02层为20nm至60nm, Si02层为5nm至20nm,恥205层或Ti02 层为20nm至70nm, Si02层为40nm至80nm,半导体膜层ITO为8至 28nm6、 根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃,其特征在于,所述半导体膜层为 掺锡氧化铟膜层7、 根据权利要求1所述的单面镀膜玻璃,其特征在于,所述镀膜采用真空 磁控溅射方式镀膜8、 根据权利要求l所述的单面镀膜玻璃,其特征在于,所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片
  • 技术领域
    本实用新型涉及一种触摸屏用玻璃,尤其涉及一种高透射的单面镀膜 玻璃
  • 背景技术
  • 专利摘要
    本实用新型涉及一种高透射的单面镀膜玻璃,本实用新型构建一种单面镀膜玻璃,包括玻璃基片,在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>层和SiO<sub>2</sub>至SiO<sub>2</sub>层为外层,或依次重叠沉积TiO<sub>2</sub>层和SiO<sub>2</sub>层至SiO<sub>2</sub>层为外层,所述重叠层外再沉积半导体膜层。本实用新型由于沉积了多层增透减反膜层,提高了所述镀膜玻璃的可见光透过率。
  • 专利详情
  • 全文pdf
  • 权力要求
  • 说明书
  • 法律状态
专利名称:单面镀膜玻璃的制作方法镀膜玻璃如今已广泛应用于触摸屏领域,现有的一些用于触摸屏的镀 膜玻璃可见光透过率低,反射率高。特别在环境光较强的情况下,画面图像的对比度 会大大降低,严重影响着视觉效果。例如,目前普通IT0触摸屏玻璃可见光透过率约 86%,反射率8%,在环境光较强的情况下,画面对比度低,图像看不清楚,同时,高反 射率导致视觉效果更差,在长时间观看时,也影响着眼睛。
本实用新型解决的技术问题是克服现有技术中,触摸屏用的镀膜玻 璃透光率低、反射率高而导致视觉效果差的技术问题。本实用新型提供的解决技术问题的技术方案是构建一种单面镀膜玻 璃,包括玻璃基片,在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积Nb20s层和Si02层至Si02层为外层,或依次重叠沉积Ti02层和Si02层至Si02层为外层,所 述重叠层外再沉积半导体膜层。本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述玻璃基片一面的沉积层为五层。本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述沉积层厚度依次 为NbA层或Ti02层为10nm至30nm, Si02层为20nm至50nm, Nb205 层或Ti02层为20nm至50nm, Si02层为60nm至140nm,半导体膜层为8 至28證。本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述玻璃基片一面的 沉积层为七层。本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述沉积层厚度依次
为NbA层或Ti02层为5nm至18nm, Si02层为20nm至50nm,恥205层 或Ti02层为20nm至60nm, Si02层为5nm至20nm, NbA层或1102层为 20nm至70nm, Si02层为40nm至80nm,半导体膜层为8至28nm。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述半导体膜层为掺 锡氧化铟膜层。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述镀膜采用真空磁 控溅射方式镀膜。
本实用新型解决技术问题的进一步技术方案是所述玻璃基片为透明 的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。
本实用新型技术方案的技术效果是通过构建一种镀膜玻璃,在所述 玻璃基片的一面依次重叠沉积NbA层和Si02层至Si02层为外层,或依次 重叠沉积Ti02层和Si02层至Si02层为外层,所述重叠层外再沉积半导体膜
层。由于沉积了多层增透减反膜层,提高了所述镀膜玻璃的可见光透过率。

图1为本实用新型五层镀膜玻璃结构示意图。
图2为本实用新型七层镀膜玻璃结构示意图。


下面结合具体实施例对本实用新型技术方案进行进一步说明
本实用新型构建一种单面镀膜玻璃,本实用新型采用真空磁控溅射方 式镀膜,包括玻璃基片,在所述玻璃基片的一面依次重叠沉积NbA层和 Si02层至Si02层为外层,或依次重叠沉积Ti02层和Si02层至Si02层为外层, 所述重叠层外再沉积半导体膜层。
如图1所示,所述玻璃基片1一面的沉积层为五层。所述沉积层厚度 依次为恥205层2或Ti02层2为10nm至30nm, Si02层3为20nm至50nm, NbA层4或Ti02层4为20nm至50nm, Si02层5为60nm至140nm,半 导体膜层6为8至28nm。所述半导体膜层为掺锡氧化铟膜层。所述玻璃 基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。
如图2所示,所述玻璃基片1一面的沉积层为七层。所述沉积层厚度 依次为NbA层2或Ti02层2为5nm至18nm, Si02层3为20nm至50nm, NbA层4或Ti02层4为20nm至60nm, Si02层5为5nm至20nm, Nb205 层6或Ti02层6为20nm至70nm, Si02层7为40nm至80nm,半导体膜 层8为8至28nm。所述半导体膜层为掺锡氧化铟膜层。所述玻璃基片为透明的钢化玻璃或半钢化的玻璃基片。
以上内容是结合具体的优选实施方式对本实用新型所作的进一步详细 说明,不能认定本实用新型的具体实施只局限于这些说明。对于本实用新 型所属技术领域的普通技术人员来说,在不脱离本实用新型构思的前提下, 还可以做出若干简单推演或替换,都应当视为属于本实用新型的保护范围。





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