用无压或低压气体烧结法制备的致密自增强氮化硅陶瓷制作方法
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专利名称:用无压或低压气体烧结法制备的致密自增强氮化硅陶瓷的制作方法由无压烧结或低压气体烧结制备的致密的自增强氮化硅陶瓷,其组成包括(a)氮化硅,其中至少有20%是高平均纵横比的β—氮化硅形式;(b)2—10%(重量)的玻璃态晶界相,含氧化镁、氧化钇、二氧化硅、氧化锆,并且还可含选自氧化钙、氧化镓、氧化铟和氧化铪的一种氧化物;(c)氧化锆第二结晶相,其量为0.5—5.0%(重量);(d)金属硅化锆和/或金属氮化硅锆的结晶相,其总量为0.1—3.0%(重量)。该陶瓷呈现高断裂韧性和高断裂强度,密度至少为理论值的98%。
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