专利名称：一种蜂窝状常压等离子体自由基清洗设备的制作方法随着大规模集成电路的发展，集成度的不断提高，线宽的不断减小，对硅片的无损伤清洗的要求也越来越高。在硅晶体管和集成电路生产中，几乎每道工序都有硅片清洗的问题，硅片清洗的好坏对器件性能有严重的影响，处理不当，可能使全部硅片报废，做不出管子来，或者制造出来的器件性能低劣，稳定性和可靠性很差。因此对硅片进行无损伤的清洗有着重要的意义。目前常用的去胶和清洗方法，由湿法和干法两种方式。湿法清洗湿法清洗存在许多的缺点例如(1)不能精确控制；(2)清洗不彻底，需反复清洗；(3)容易引入新的杂质；对残余物不能处理；( 污染环境，需对废液进行处理；(6)消耗大量的酸和水。在等离子体的干法清洗工艺中，不使用任何化学溶剂，因此基本上无污染物，有利于环境保护。此外，其生产成本较低，清洗具有良好的均勻性和重复性、可控性，易实现批量生产。但目前常用的干法去胶和清洗设备，是在真空状态下，使用等离子体对硅片表面直接清洗，这样等离子体中的离子会对硅片表面的刻蚀线条造成很大的损伤，不在适用于32nm及以下节点技术。本实用新型采用常压下产生自由基的自由基束流可以有效地去除光刻胶，由于自由基的能量是远小于等离子体中离子的能量，因此它不会造成对硅片表面器件线条的损伤，并且以自由基清洗代替等离子体清洗，不需要抽真空，提高了生产效率，较低了生产成本。
图1本实用新型的正面结构剖视示意图。图2本实用新型的立体结构剖视示意视图。图3本实用新型的电极结构剖视图。请参阅图1、图2和图3，本实用新型蜂窝状常压等离子体自由基清洗设备，包括一个机械手101、该机械手101通过连接件306带到等离子体发生器实现三维移动；该等离子体发生器是连接在一个壳体305上，该等离子体发生器中设有由上电极303和下电极103， 该上电极303是安装在一个绝缘板302上并由导线109连接为一体，该下电极103是一个设有多个蜂窝状孔的金属电极，该上下电极之间设有一个进气舱110。[0020]多个上电极303是固定在绝缘材料302上，每个电极的周围是包覆一个石英玻璃管301，多个电极303彼此相隔一定的距离；多个上电极303是穿过进气舱110并插在下电极103的多个蜂窝孔中，并与蜂窝孔形成一定的放电间隙108，该放电间隙108贯通进气舱 110，该进气舱通过进气口 201、气体导管202、气体减压阀203和高压气源102连接，等离子体中的自由基304是在蜂窝孔间隙108中产生，并在气体压力带动下，由下电极103的蜂窝形喷口喷出。硅片是105是放置在可以旋转的基底106上，该基底106是可以被加热的。喷出地电极103蜂窝喷口的自由基304，到达硅片105的光刻胶104上，并对其进行清洗。一个高频电源107分别于上电极303和下电极103连接，气源102可以采用空气、 氮气、氩气或氧气。该上电极303是由金属杆制成，下电极301、基底106、壳体305是由金属材料制成，绝缘材料302是由聚四氟乙烯材料制成。上面参考附图结合具体的实施例对本实用新型进行了描述，然而，需要说明的是， 对于本领域的技术人员而言，在不脱离本实用新型的精神和范围的情况下，可以对上述实施例作出许多改变和修改，这些改变和修改都落在本实用新型的权利要求限定的范围内。